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参数资料
| 型号： | SIZ710DT-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A，35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.8 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 820pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 27W，48W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-PowerPair? |
| 供应商设备封装： | 6-PowerPair? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIZ710DT-T1-GE3DKR |
SiZ710DT
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
60
50
40
30
30
25
20
15
20
10
0
Package Limited
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperature (°C)
Current Derating*
T C - Case Temperature (°C)
Power, Junction-to-Case
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
www.vishay.com
6
Document Number: 65733
S11-2379-Rev. B, 28-Nov-11
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIZ720DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR |
| SIZ902DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V DUAL D-S |
| SKY12322-86LF-EVB | BOARD EVALUATION FOR SKY12322-86 |
| SKY12323-303LF-EVB | BOARD EVALUATION FOR SKY1232-303 |
| SKY12324-73LF-EVB | BOARD EVALUATION FOR SKY12324-73 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIZ720DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| SIZ728DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ728DT_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ728DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25V 16A / 35A N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ730DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
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