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参数资料
型号： SIZ710DT-T1-GE3
厂商： Vishay Siliconix
文件页数： 2/14页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR
标准包装： 1
系列： TrenchFET®
FET 型： 2 N 沟道（双）共漏
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 16A，35A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 6.8 毫欧 @ 19A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 18nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 820pF @ 10V
功率 - 最大： 27W，48W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-PowerPair?
供应商设备封装： 6-PowerPair?
包装： 标准包装
其它名称： SIZ710DT-T1-GE3DKR
SiZ710DT
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS (T J = 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
V GS(th) Temperature Coefficient
V DS
? V DS /T J
? V GS(th) /T J
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V GS = 0 V, I D = 250 μA
I D = 250 μA
I D = 250 μA
I D = 250 μA
I D = 250 μA
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
20
20
19
20
- 4.8
- 5.3
V
mV/°C
Gate Threshold Voltage
Gate Source Leakage
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
1
1
2.2
2.2
± 100
± 100
V
nA
V DS = 20 V, V GS = 0 V
Ch-1
1
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V DS = 20 V, V GS = 0 V
V DS = 20 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
Ch-2
Ch-1
1
5
μA
V DS = 20 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
Ch-2
5
On-State Drain Current b
I D(on)
V DS ?? 5 V, V GS = 10 V
V DS ?? 5 V, V GS = 10 V
Ch-1
Ch-2
15
20
A
V GS = 10 V, I D = 19 A
Ch-1
0.0055 0.0068
Drain-Source On-State Resistance b
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 20 A
V GS = 4.5 V, I D = 16.5 A
Ch-2
Ch-1
0.0027 0.0033
0.0072 0.0090
?
V GS = 4.5 V, I D = 20 A
Ch-2
0.0034 0.0043
Forward Transconductance b
g fs
V DS = 10 V, I D = 19 A
V DS = 10 V, I D = 20 A
Ch-1
Ch-2
45
85
S
Dynamic a
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
C iss
C oss
C rss
Q g
Channel-1
V DS = 10 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
Channel-2
V DS = 10 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
V DS = 10 V, V GS = 10 V, I D = 19 A
V DS = 10 V, V GS = 10 V, I D = 20 A
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
820
2310
290
730
115
305
11.5
38
6.9
18
60
11
pF
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Q gs
Q gd
Channel-1
V DS = 10 V, V GS = 4.5 V, I D = 16.8 A
Channel-2
V DS = 10 V, V GS = 4.5 V, I D = 20 A
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
18.2
2.4
6.6
1.7
4.8
28
nC
Gate Resistance
R g
f = 1 MHz
Ch-1
Ch-2
0.3
0.2
1.3
0.8
2.6
1.6
?
Notes:
a. Guaranteed by design, not subject to production testing.
b. Pulse test; pulse width ? 300 μs, duty cycle ? 2 %.
www.vishay.com
2
Document Number: 65733
S11-2379-Rev. B, 28-Nov-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述
SIZ720DT-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR
SIZ902DT-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V DUAL D-S
SKY12322-86LF-EVB BOARD EVALUATION FOR SKY12322-86
SKY12323-303LF-EVB BOARD EVALUATION FOR SKY1232-303
SKY12324-73LF-EVB BOARD EVALUATION FOR SKY12324-73
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参数描述
SIZ720DT-T1-GE3 功能描述:MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
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SIZ730DT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs
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