- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录516 > SIZ710DT-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIZ710DT-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A，35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.8 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 820pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 27W，48W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-PowerPair? |
| 供应商设备封装： | 6-PowerPair? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIZ710DT-T1-GE3DKR |
SiZ710DT
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
80
V GS = 10 V thru 4 V
20
16
60
40
20
V GS = 3 V
12
8
4
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
V GS = 2 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.005
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
3000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.004
0.003
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
2500
2000
C iss
1500
0.002
1000
C oss
0.001
0.000
500
0
C rss
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.5
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 20 A
1.4
I D = 20 A
8
V DS = 10 V
1.3
6
4
V DS = 5 V
V DS = 16 V
1.2
1.1
1.0
V GS = 10 V, V GS = 4.5 V
0.9
2
0.8
0
0.7
0
8
16
24
32
40
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
8
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 65733
S11-2379-Rev. B, 28-Nov-11
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIZ720DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR |
| SIZ902DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V DUAL D-S |
| SKY12322-86LF-EVB | BOARD EVALUATION FOR SKY12322-86 |
| SKY12323-303LF-EVB | BOARD EVALUATION FOR SKY1232-303 |
| SKY12324-73LF-EVB | BOARD EVALUATION FOR SKY12324-73 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIZ720DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| SIZ728DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ728DT_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ728DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25V 16A / 35A N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ730DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。