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参数资料
| 型号： | SST29LE512-150-4I-EHE |
| 厂商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64K X 8 FLASH 3V PROM, 150 ns, PDSO32 |
| 封装： | 8 X 20 MM, MO-142BD, TSOP1-32 |
| 文件页数： | 10/28页 |
| 文件大小： | 348K |
| 代理商： | SST29LE512-150-4I-EHE |
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18
Data Sheet
512 Kbit Page-Write EEPROM
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
2003 Silicon Storage Technology, Inc.
S71060-08-000
11/03 301
FIGURE 13: AC INPUT/OUTPUT REFERENCE WAVEFORMS
FIGURE 14: A TEST LOAD EXAMPLE
301 ILL F12.1
REFERENCE POINTS
OUTPUT
INPUT
VHT
VLT
VHT
VLT
VIHT
VILT
AC test inputs are driven at VIHT (2.4V) for a logic “1” and VILT (0.4 V) for a logic “0”. Measurement reference points for
inputs and outputs are VHT (2.0 V) and VLT (0.8 V). Input rise and fall times (10%
90%) are <10 ns.
Note: VHT - VHIGH Test
VLT - VLOW Test
VIHT - VINPUT HIGH Test
VILT - VINPUT LOW Test
301 ILL F13.1
TO TESTER
TO DUT
CL
RL LOW
RL HIGH
VDD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SSTV16857MTDX_NL | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST29LE512-150-4I-NH | 功能描述:闪存 64K X 8 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST29LE512-150-4I-NHE | 功能描述:闪存 64K X 8 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST29LE512-150-4I-PH | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29LE512-150-4I-UH | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29LE512-150-4I-WH | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
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