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参数资料
| 型号： | SST29LE512-150-4I-EHE |
| 厂商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64K X 8 FLASH 3V PROM, 150 ns, PDSO32 |
| 封装： | 8 X 20 MM, MO-142BD, TSOP1-32 |
| 文件页数： | 25/28页 |
| 文件大小： | 348K |
| 代理商： | SST29LE512-150-4I-EHE |
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6
Data Sheet
512 Kbit Page-Write EEPROM
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
2003 Silicon Storage Technology, Inc.
S71060-08-000
11/03 301
TABLE
2: PIN DESCRIPTION
Symbol
Pin Name
Functions
A15-A7
Row Address Inputs
To provide memory addresses. Row addresses define a page for a Write cycle.
A6-A0
Column Address Inputs
Column Addresses are toggled to load page data
DQ7-DQ0
Data Input/output
To output data during Read cycles and receive input data during Write cycles.
Data is internally latched during a Write cycle.
The outputs are in tri-state when OE# or CE# is high.
CE#
Chip Enable
To activate the device when CE# is low.
OE#
Output Enable
To gate the data output buffers.
WE#
Write Enable
To control the Write operations.
VDD
Power Supply
To provide:
5.0V supply (4.5-5.5V) for SST29EE512
3.0V supply (3.0-3.6V) for SST29LE512
2.7V supply (2.7-3.6V) for SST29VE512
VSS
Ground
NC
No Connection
Unconnected pins.
T2.2 301
TABLE
3: OPERATION MODES SELECTION
Mode
CE#
OE#
WE#
DQ
Address
Read
VIL
VIH
DOUT
AIN
Page-Write
VIL
VIH
VIL
DIN
AIN
Standby
VIH
X1
1. X can be VIL or VIH, but no other value.
XHigh Z
X
Write Inhibit
X
VIL
XHigh Z/ DOUT
X
XX
VIH
High Z/ DOUT
X
Software Chip-Erase
VIL
VIH
VIL
DIN
Product Identification
Software Mode
VIL
VIH
VIL
Manufacturer’s ID (BFH)
Device ID2
2. Device ID = 5DH for SST29EE512 and 3DH for SST29LE/VE512
See Table 4
SDP Enable Mode
VIL
VIH
VIL
See Table 4
SDP Disable Mode
VIL
VIH
VIL
See Table 4
T3.4 301
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST38VF6401-90-4I-EKE | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| SST49LF003B-33-4C-NH | 384K X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PQCC32 |
| SSTAR-01 | SPECIALTY TELECOM CIRCUIT |
| SSTV16857MTDX | |
| SSTV16857MTDX_NL | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST29LE512-150-4I-NH | 功能描述:闪存 64K X 8 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST29LE512-150-4I-NHE | 功能描述:闪存 64K X 8 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST29LE512-150-4I-PH | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29LE512-150-4I-UH | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29LE512-150-4I-WH | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
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