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参数资料
| 型号： | SST29LE512-150-4I-EHE |
| 厂商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64K X 8 FLASH 3V PROM, 150 ns, PDSO32 |
| 封装： | 8 X 20 MM, MO-142BD, TSOP1-32 |
| 文件页数： | 20/28页 |
| 文件大小： | 348K |
| 代理商： | SST29LE512-150-4I-EHE |
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Data Sheet
512 Kbit Page-Write EEPROM
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
27
2003 Silicon Storage Technology, Inc.
S71060-08-000
11/03 301
32-LEAD THIN SMALL OUTLINE PACKAGE (TSOP) 8MM X 20MM
SST PACKAGE CODE: EH
0.15
0.05
20.20
19.80
18.50
18.30
0.70
0.50
8.10
7.90
0.27
0.17
1.05
0.95
32-tsop-EH-7
Note:
1.Complies with JEDEC publication 95 MO-142 BD dimensions,
although some dimensions may be more stringent.
2.All linear dimensions are in millimeters (max/min).
3.Coplanarity: 0.1 mm
4.Maximum allowable mold flash is 0.15 mm at the package ends, and 0.25mm between leads.
Pin # 1 Identifier
0.50
BSC
1mm
1.20
max.
DETAIL
0.70
0.50
0- 5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| SSTAR-01 | SPECIALTY TELECOM CIRCUIT |
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| SSTV16857MTDX_NL | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST29LE512-150-4I-NH | 功能描述:闪存 64K X 8 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST29LE512-150-4I-NHE | 功能描述:闪存 64K X 8 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST29LE512-150-4I-PH | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29LE512-150-4I-UH | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29LE512-150-4I-WH | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
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