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参数资料
| 型号： | ST72F521R6T5 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| 封装： | 14 X 14 MM, PLASTIC, TQFP-64 |
| 文件页数： | 80/198页 |
| 文件大小： | 1267K |
| 代理商： | ST72F521R6T5 |
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ST72521M/R/AR
170/198
EMC CHARACTERISTICS (Cont’d)
12.7.3 Absolute Electrical Sensitivity
Based on three different tests (ESD, LU and DLU)
using specific measurement methods, the product
is stressed in order to determine its performance in
terms of electrical sensitivity. For more details, re-
fer to the AN1181 ST7 application note.
12.7.3.1 Electro-Static Discharge (ESD)
Electro-Static Discharges (3 positive then 3 nega-
tive pulses separated by 1 second) are applied to
the pins of each sample according to each pin
combination. The sample size depends of the
number of supply pins of the device (3 parts*(n+1)
supply pin). Two models are usually simulated:
Human Body Model and Machine Model. This test
conforms to the JESD22-A114A/A115A standard.
See Figure 83 and the following test sequences.
Human Body Model Test Sequence
–CL is loaded through S1 by the HV pulse gener-
ator.
– S1 switches position from generator to R.
– A discharge from CL through R (body resistance)
to the ST7 occurs.
– S2 must be closed 10 to 100ms after the pulse
delivery period to ensure the ST7 is not left in
charge state. S2 must be opened at least 10ms
prior to the delivery of the next pulse.
Machine Model Test Sequence
–CL is loaded through S1 by the HV pulse gener-
ator.
– S1 switches position from generator to ST7.
– A discharge from CL to the ST7 occurs.
– S2 must be closed 10 to 100ms after the pulse
delivery period to ensure the ST7 is not left in
charge state. S2 must be opened at least 10ms
prior to the delivery of the next pulse.
– R (machine resistance), in series with S2, en-
sures a slow discharge of the ST7.
Absolute Maximum Ratings
Figure 83. Typical Equivalent ESD Circuits
Notes:
1. Data based on characterization results, not tested in production.
Symbol
Ratings
Conditions
Maximum value 1) Unit
VESD(HBM)
Electro-static discharge voltage
(Human Body Model)
TA=+25°C
2000
V
VESD(MM)
Electro-static discharge voltage
(Machine Model)
TA=+25°C
200
ST7
S2
R=1500
S1
HIGH VOLTAGE
CL=100pF
PULSE
GENERATOR
ST7
S2
HIGH VOLTAGE
CL=200pF
PULSE
GENERAT OR
R=10k~10M
S1
HUMAN BODY MODEL
MACHINE MODEL
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| ST72F521R6TC | 功能描述:8位微控制器 -MCU Flask 32K SPI/SCI/I2 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ST72F521R6TCTR | 功能描述:8位微控制器 -MCU AUTO 8BIT MICRO RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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