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参数资料
| 型号： | STM32F205RET6TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 120 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| 封装： | 10 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, LQFP-64 |
| 文件页数： | 151/163页 |
| 文件大小： | 2275K |
| 代理商： | STM32F205RET6TR |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页当前第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页
Electrical characteristics
STM32F205xx, STM32F207xx
Doc ID 15818 Rev 7
5.3.14
Absolute maximum ratings (electrical sensitivity)
Based on three different tests (ESD, LU) using specific measurement methods, the device is
stressed in order to determine its performance in terms of electrical sensitivity.
Electrostatic discharge (ESD)
Electrostatic discharges (a positive then a negative pulse separated by 1 second) are
applied to the pins of each sample according to each pin combination. The sample size
depends on the number of supply pins in the device (3 parts × (n+1) supply pins). This test
conforms to the JESD22-A114/C101 standard.
Static latch-up
Two complementary static tests are required on six parts to assess the latch-up
performance:
●
A supply overvoltage is applied to each power supply pin
●
A current injection is applied to each input, output and configurable I/O pin
Table 37.
EMI characteristics(1)
Symbol
Parameter
Conditions
Monitored
frequency band
Max vs.
[fHSE/fCPU]
Unit
8/120 MHz
SEMI
Peak level
VDD = 3.3 V, TA = 25 °C, LQFP176
package, conforming to SAE J1752/3
EEMBC, code running with ART
enabled
0.1 to 30 MHz
21
dBV
30 to 130 MHz
28
130 MHz to 1GHz
31
SAE EMI Level
4
-
VDD = 3.3 V, TA = 25 °C, LQFP176
package, conforming to SAE J1752/3
EEMBC, code running with ART
enabled, PLL spread spectrum
enabled
0.1 to 30 MHz
21
dBV
30 to 130 MHz
15
130 MHz to 1GHz
14
SAE EMI level
3.5
-
1.
TBD stands for “to be defined”.
Table 38.
ESD absolute maximum ratings
Symbol
Ratings
Conditions
Class
Maximum
value(1)
Unit
VESD(HBM)
Electrostatic discharge
voltage (human body
model)
TA = +25 °C conforming to JESD22-A114
2
2000(2)
V
VESD(CDM)
Electrostatic discharge
voltage (charge device
model)
TA = +25 °C conforming to JESD22-C101
II
500
1.
Based on characterization results, not tested in production.
2.
On VBAT pin, VESD(HBM) is limited to 1000 V.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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