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参数资料
| 型号： | STM32F205RET6TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 120 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| 封装： | 10 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, LQFP-64 |
| 文件页数： | 154/163页 |
| 文件大小： | 2275K |
| 代理商： | STM32F205RET6TR |
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Electrical characteristics
STM32F205xx, STM32F207xx
Doc ID 15818 Rev 7
5.3.16
I/O port characteristics
General input/output characteristics
Unless otherwise specified, the parameters given in Table 41 are derived from tests
performed under the conditions summarized in Table 10. All I/Os are CMOS and TTL
compliant.
Table 41.
I/O static characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VIL
Input low level voltage
TTL ports
2.7 V
≤ VDD ≤ 3.6 V
VSS–0.3
-
0.8
V
VIH
(1)
TT(2) I/O input high level voltage
2.0
-
VDD+0.3
FT(3) I/O input high level voltage
2.0
-
5.5
VIL
Input low level voltage
CMOS ports
1.8 V
≤ VDD ≤ 3.6 V
VSS–0.3
-
0.3VDD
VIH
TT I/O input high level voltage
0.7VDD
-3.6(4)
FT I/O input high level voltage
-5.2(4)
CMOS ports
2.0 V
≤ VDD ≤ 3.6 V
-5.5(4)
Vhys
I/O Schmitt trigger voltage hysteresis(5)
-200
-
mV
IO FT Schmitt trigger voltage
hysteresis(5)
5% VDD
-
Ilkg
I/O input leakage current (6)
VSS ≤ VIN ≤ VDD
--
±1
A
I/O FT input leakage current (6)
VIN = 5V
-
3
RPU
Weak pull-up equivalent
resistor(7)
All pins
except for
PA10 and
PB12
VIN = VSS
30
40
50
k
Ω
PA10 and
PB12
811
15
RPD
Weak pull-down
equivalent resistor
All pins
except for
PA10 and
PB12
VIN = VDD
30
40
50
PA10 and
PB12
811
15
CIO
(8)
I/O pin capacitance
5
pF
1.
If VIH maximum value cannot be respected, the injection current must be limited externally to IINJ(PIN) maximum value.
2.
TT = 3.6 V tolerant.
3.
FT = 5 V tolerant.
4.
With a minimum of 100 mV.
5.
Hysteresis voltage between Schmitt trigger switching levels. Based on characterization, not tested in production.
6.
Leakage could be higher than the maximum value, if negative current is injected on adjacent pins.
7.
Pull-up and pull-down resistors are designed with a true resistance in series with a switchable PMOS/NMOS. This
MOS/NMOS contribution to the series resistance is minimum (~10% order)
.
8.
Guaranteed by design, not tested in production.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STM32F205RGT6TR | 功能描述:ARM微控制器 - MCU STM32F20 High-Perf M3 1Mb 120 MHz MCU RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT |
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