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参数资料
| 型号： | STM32W108HBU7 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, QCC40 |
| 封装： | 6 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFQFPN-40 |
| 文件页数： | 86/198页 |
| 文件大小： | 2871K |
| 代理商： | STM32W108HBU7 |
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Electrical characteristics
STM32W108CB, STM32W108HB
176/198
Doc ID 16252 Rev 3
14.2
Absolute maximum ratings
Stresses above the absolute maximum ratings listed in Table 35: Voltage characteristics,
permanent damage to the device. These are stress ratings only and functional operation of
the device at these conditions is not implied. Exposure to maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
Table 35.
Voltage characteristics
Ratings
Min.
Max.
Unit
Regulator input voltage (VDD_PADS)
-0.3
+3.6
V
Analog, Memory and Core voltage (VDD_24MHZ, VDD_VCO,
VDD_RF, VDD_IF, VDD_PADSA, VDD_MEM, VDD_PRE,
VDD_SYNTH, VDD_CORE)
-0.3
+2.0
V
Voltage on RF_P,N; RF_TX_ALT_P,N
-0.3
+3.6
V
RF Input Power (for max level for correct packet reception see
RX signal into a lossless balun
–
+15
dBm
Voltage on any GPIO (PA[7:0], PB[7:0], PC[7:0]), SWCLK,
NRST, VREG_OUT
-0.3
VDD_PADS +0.3
V
Voltage on BIAS_R, OSCA, OSCB
-0.3
VDD_PADSA +0.3
V
Table 36.
Current characteristics
Symbol
Ratings
Max.
Unit
IVDD
Total current into VDD/VDDA power lines (source)
150
mA
IVSS
Total current out of VSS ground lines (sink)
150
IIO
Output current sunk by any I/O and control pin
25
Output current source by any I/Os and control pin
25
IINJ(PIN)
Injected current on NRST pin
± 5
Injected current on HSE OSC_IN and LSE OSC_IN pins
± 5
Injected current on any other pin
± 5
ΣI
INJ(PIN)
Total injected current (sum of all I/O and control pins)
± 25
Table 37.
Thermal characteristics
Symbol
Ratings
Value
Unit
TSTG
Storage temperature range
–40 to +140
°C
TJ
Maximum junction temperature
150
°C
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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