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参数资料
| 型号： | STM32W108HBU7 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, QCC40 |
| 封装： | 6 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFQFPN-40 |
| 文件页数： | 91/198页 |
| 文件大小： | 2871K |
| 代理商： | STM32W108HBU7 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页当前第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页
Electrical characteristics
STM32W108CB, STM32W108HB
180/198
Doc ID 16252 Rev 3
14.4
Clock frequencies
14.4.1
High frequency internal clock characteristics
14.4.2
High frequency external clock characteristics
Table 45.
High-frequency RC oscillator characteristics
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
Frequency at reset
6
12
20
MHz
Frequency Steps
0.5
MHz
Duty cycle
40
60
%
Supply dependence
Change in supply = 0.1 V
Test at supply changes: 1.8 V to 1.7 V
5
%
Table 46.
High-frequency crystal oscillator characteristics
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
Frequency
–
24
–
MHz
Accuracy
–
-40
–
+40
ppm
Duty cycle
–
40
–
60
%
Phase noise (at 100 kHz offset)
–
-120
dBc/Hz
Start-up time at max bias
–
1
ms
Start up time at optimal bias
–
2
ms
Current consumption
–
200
300
A
Current consumption at max bias
–
1
mA
Crystal with high ESR
–
100
Ω
– Load capacitance
–
10
pF
– Crystal capacitance
–
7
pF
– Crystal power dissipation
–
200
W
Crystal with low ESR
–
60
Ω
– Load capacitance
–
18
pF
– Crystal capacitance
–
7
pF
– Crystal power dissipation
–
1
mW
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