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参数资料
| 型号： | SUD23N06-31L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD23N06-31L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
2.5
2.0
V GS = 10 V
I D = 15 A
100
1.5
1.0
0.5
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
www.vishay.com
4
T J - Junction Temperature ( °C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72145
S-71660-Rev. C, 06-Aug-07
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SUD25N04-25 | 功能描述:MOSFET 40V 25A 33W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD25N04-25-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 25A 33W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD25N04-25-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 40V, 25A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr |
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