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参数资料
| 型号： | SUD23N06-31L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD23N06-31L
Vishay Siliconix
THERMAL RATINGS
25
100
20
*r DS(on) Limited
10 μs
100 μs
10
15
1 ms
10
1
10 ms
5
T C = 25 °C
Single Pulse
100 ms
dc
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
2
T A - Ambient Temperature (°C)
Maximum Drain Current
vs. Ambient Temperature
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
*V GS > minimum V GS at which r DS(on) is specified
Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01 10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
Square Wave Pulse Duration (sec)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon Tech-
nology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and reliability
data, see http://www.vishay.com/ppg?72145.
Document Number: 72145
S-71660-Rev. C, 06-Aug-07
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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