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参数资料
| 型号： | SUD50N04-05L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.4 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50N04-05L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
2.0
100
V GS = 10 V
I D = 20 A
1.7
T J = 150 °C
1.4
1.1
0.8
10
T J = 25 °C
0.5
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
1
0.3 0.6 0.9 1.2
1.5
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
THERMAL RATINGS
125
200
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
100
Limited by r DS(on)
10 μs
100 μs
75
50
25
Limited By Package
10
1
T C = 25 °C
Single Pulse
1 ms
10 ms
100 ms
dc
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1 10
50
2
T C - Case Temperature (°C)
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
Single Pulse
0.01
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
Square Wave Pulse Duration (sec)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon Tech-
nology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and reliability
data, see http://www.vishay.com/ppg?72786.
www.vishay.com
4
Document Number: 72786
S-71661-Rev. B, 06-Aug-07
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PDF描述 |
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