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参数资料
| 型号： | SUM110N06-3M9H-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK |
| 产品目录绘图： | SUB, SUM Series |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SUM110N06-3M9H-E3DKR |
SUM110N06-3m9H
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
250
200
V G S = 10 thr u 7 V
250
200
150
100
50
6V
150
100
50
T C = 125 °C
0
5V
0
25 °C
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
3 00
V D S - D r a i n - t o - S o u r c e V o l t a g e ( V )
Output Characteristics
T C = - 55 °C
0.006
V G S - G a te-to- S o u rce Volt a ge (V)
Transfer Characteristics
250
200
150
100
50
0
25 °C
125 °C
0.005
0.004
0.00 3
0.002
0.001
0.000
V G S = 10 V
0
15
3 0
45
60
75
90
0
20
40
60
8 0
100
120
21000
I D - Dr a in C u rrent (A)
Transconductance
20
I D - Dr a in C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1 8 000
C i ss
16
V D S = 3 0 V
I D = 110 A
15000
12000
9000
6000
12
8
3 000
0
C o ss
C r ss
4
0
0
10
20
3 0
40
50
60
0
50
100
150
200
250
3 00
3 50
400
V D S - Dr a in-to- S o u rce Volt a ge (V)
Capacitance
Document Number: 73236
S-70534-Rev. C, 26-Mar-07
Q g - Tot a l G a te Ch a rge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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