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参数资料
| 型号： | SUM110N06-3M9H-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK |
| 产品目录绘图： | SUB, SUM Series |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SUM110N06-3M9H-E3DKR |
SUM110N06-3m9H
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2.0
1.7
V G S = 10 V
I D = 3 0 A
100
1.4
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
1.1
0. 8
0.5
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0. 3
0.6
0.9
1.2
1000
T J - J u nction Temper a t u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
74
72
V S D - S o u rce-to-Dr a in Volt a ge (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
70
I D = 10 mA
I AV (A) a t T A = 25 °C
6 8
10
66
1
0.1
I AV (A) at T A = 150 °C
64
62
60
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
www.vishay.com
4
t in ( S ec)
Avalanche Current vs. Time
T J - J u nction Temper a t u re (°C)
Drain Source Breakdown
vs. Junction Temperature
Document Number: 73236
S-70534-Rev. C, 26-Mar-07
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SUM110N08-07 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
| SUM110N08-07 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| SUM110N08-07-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
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