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参数资料
| 型号： | T431616E-7SG |
| 厂商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100万× 16内存为512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件页数： | 18/74页 |
| 文件大小： | 781K |
| 代理商： | T431616E-7SG |
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TE
CH
tm
Recommended D.C. Operating Conditions (V
DD
= 3.3V
±
0.3V, Ta = 0~70
°
C)
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 18
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
- 5/6/7(T431616D) - 7(T431616E)
Max.
Description/Test condition
Symbol
Max.
Unit Note
Operating Current
t
RC
≥
t
RC
(min), Outputs Open, Input
signal one transition per one cycle
Precharge Standby Current in non-power down mode
t
CK
= t
CK
(min), CS#
≥
V
IH
, CKE = V
IH
Input signals are changed once during 30ns.
Precharge Standby Current in power down mode
t
CK
= t
CK
(min), CKE
≤
V
IL
(max)
1 bank
operation
I
DD1
130/115/100
40
3
I
DD2N
25
15
3
I
DD2P
2
0.8
3
Precharge Standby Current in power down mode
t
CK
=
∞
,CKE
≤
V
IL
(max)
Active Standby Current in power down mode
CKE
≤
V
IL
(max), t
CK
= t
CK
(min)
Active Standby Current in non-power down mode
CKE
≥
V
IL
(max), t
CK
= t
CK
(min)
Operating Current (Burst mode)
t
CK
=t
CK
(min),
Outputs Open, Multi-bank interleave,gapless data
Refresh Current
t
RC
≥
t
RC
(min)
Self Refresh Current
V
IH
≥
V
DD
- 0.2, 0V
≤
V
IL
≤
0.2V
I
DD2PS
2
0.8
I
DD3P
2
1.5
3
I
DD3N
40
20
I
DD4
165/150/140
40
3, 4
I
DD5
115/100/90
40
mA
3
I
DD6
2
0.6
Parameter
Description
Min.
Max.
Unit Note
I
IL
Input Leakage Current
( 0V
≤
V
IN
≤
V
DD
, All other pins not under test = 0V )
Output Leakage Current
Output disable, 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
)
LVTTL Output "H" Level Voltage
( I
OUT
= -2mA )
LVTTL Output "L" Level Voltage
( I
OUT
= 2mA )
- 10
10
uA
I
OL
- 10
10
uA
V
OH
2.4
-
V
V
OL
-
0.4
V
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