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参数资料
| 型号： | T436416C-7S |
| 厂商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 SDRAM的100万x 16Bit的X 4Banks同步DRAM |
| 文件页数： | 21/28页 |
| 文件大小： | 651K |
| 代理商： | T436416C-7S |
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TE
CH
tm
Read & Write Cycle with Auto Precharge @ Burst Length = 4
0
1
2
3
4
5
T436416C
TM Technology Inc. reserves the right
P.21
to change products or specifications without notice.
Publication Date: AUG. 2004
Revision: A
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
A 1 3 ,A 1 2
A 1 0 /A P
C L = 2
C L = 3
W E
6
7
8
9
1 0
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
1 9
H IG H
D Q M
D Q
:D o n 't c a re
R o w A ctiv e
(A -B a n k )
R o w A ctiv e
(B -B a n k )
R ea d w ith A u to
p rech a rg e (A -
B a n k )
C L = 2 A u to
P rec h a rg e S ta rt
P o in t (A -B a n k )
C L = 3 A u to
P rec h a rg e S ta rt
P o in t (A -B a n k )
W rite w ith A u to
P rec h a rg e (B -
B a n k )
A u to P rec h a rg e
S tart P o in t (A -
B a n k )
R a
R b
C a
C b
R a
R b
Q a 0
Q a 1
Q a 2
Q a 3
Q a 0
Q a 1
Q a 2
Q a 3
D b 0
D b 0
D b 1
D b 1
D b 2
D b 2
D b 3
D b 3
*Note : 1.
t
CDL
should be controlled to meet minimum
t
RAS
before internal precharge start.
(In the case of Burst Length = 1 & 2)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416C-7SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T436416C-7SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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| T436416D-5S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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