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参数资料
| 型号： | TMPSNS-RTD1 |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 11/43页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL PT100 RTD TEMP SENSOR |
| 标准包装： | 1 |
| 传感器类型： | 温度 |
| 接口： | USB |
| 嵌入式： | 是，MCU，8 位 |
| 已供物品： | 板，缆线，CD |
| 已用 IC / 零件： | MCP3301，MCP6S26，PIC18F2550 |
| 产品目录页面： | 672 (CN2011-ZH PDF) |
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MCP6S21/2/6/8
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25°C, V DD = +5.0V, V SS = GND, V REF = V SS , G= +1 V/V,
Input = CH0 = (0.3V)/G, CH1 to CH7 = 0.3V, R L = 10 k ? to V DD /2, and C L = 60 pF.
120
110
100
100
90
80
V DD = 5.5 V
V DD = 2.5 V
Input Referred
70
90
60
80
50
70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
40
10
10
100
100
1000
1k
10000
10k
100000
100k
Ambient Temperature (°C)
Frequency (Hz)
FIGURE 2-13:
PSRR vs. Ambient
FIGURE 2-16:
PSRR vs. Frequency.
Temperature.
1,000
CH0 = V DD
10,000
V DD = 5.5 V
V DD = 5.5 V
1,000
100
10
1
100
10
1
T A = +125°C
T A = +85°C
55
65
75
85
95
105
115
125
0.0 0.5
1.0
1.5 2.0
2.5
3.0 3.5
4.0 4.5
5.0
5.5
Ambient Temperature (°C)
Input Voltage (V)
FIGURE 2-14:
Input Bias Current vs.
FIGURE 2-17:
Input Bias Current vs. Input
Ambient Temperature.
100
Voltage.
7
6
G = +1
10
G = +1
G = +4
G = +16
5
4
3
2
1
G = +4
G = +16
1
10
100
Capacitive Load (pF)
1000
0
10
100
Capacitive Load (pF)
1000
FIGURE 2-15:
Bandwidth vs. Capacitive
FIGURE 2-18:
Gain Peaking vs. Capacitive
Load.
? 2003 Microchip Technology Inc.
Load.
DS21117A-page 11
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