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参数资料
| 型号： | UPD44646363AF5-E22-FQ1-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 12/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量： | 72M（2M x 36） |
| 速度： | 450MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-LBGA |
| 供应商设备封装： | 165-PBGA（13x15） |
| 包装： | 散装 |
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μ PD44646092A-A, 44646182A-A, 44646362A-A, 44646093A-A, 44646183A-A, 44646363A-A
On-Die Termination (ODT)
On-Die Termination (ODT) is enabled by setting ODT control pin to HIGH at power-on sequence. The ODT resistors
(R TT ) are set to 0.6 x RQ, where RQ is a resistor from ZQ pin bump to ground. With ODT on, all the DQs and BW#s are
terminated to V DD Q and V SS with a resistance R TT x 2. The command, address, and clock signals are not terminated.
Figure below shows the equivalent circuit of a DQxx and BWx# receiver with ODT. ODT of DQs are dynamically
switched off before a half cycle when READ commands starts and are designed to be off prior to the product driving the
bus. ODT of BW#s are always on. Similarly, ODTs are designed to switch on after a half cycle when the product has
issued the last piece of data.
When the ODT control pin is LOW or No Connect at power-on sequence, the ODT function is always off.
When the ODT be changed the state after power-on, the AC/DC characteristics cannot be guaranteed.
On-Die Termination DC Parameters
Description
On-Die termination
External matching resistor
Symbol
R TT
RQ
MIN.
105
175
TYP.
150
250
MAX.
210
350
Units
Ω
Ω
Remark
The allowable range of RQ to guarantee impedance matching a tolerance of ± 20 % is between 175 Ω
and 350 Ω .
On- Die Termination-Equivalent Circuit
V DD Q
SW
R TT x 2
DQxx, BWx#
Receiver
R TT x 2
SW
V SS
QDR TM Consortium specification for ODT is defined when 6R is HIGH and vendor specification when 6R is LOW or
Floating. NEC specification is "Disabled" with 6R LOW or Floating as follows.
ODT-option clarification
6R input
ODT function
Termination value
Consortium specification
NEC specification
Consortium specification
NEC specification
HIGH
LOW
Floating
Active
Vendor specification
Vendor specification
Active
Disabled
Disabled
R TT = 0.6 x RQ
Vendor specification
Vendor specification
R TT = 0.6 x RQ
–
–
10
Note
In case of nominal value (RQ = 250 Ω ), R TT = 150 Ω .
Data Sheet M19960EJ2V0DS
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| UPD44646363AF5-E25-FQ1-A | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44647186AF5-E22-FQ1 | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| UPD44647186AF5-E22-FQ1-A | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44647186AF5-E25-FQ1 | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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