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参数资料
| 型号： | UPD44646363AF5-E22-FQ1-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量： | 72M（2M x 36） |
| 速度： | 450MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-LBGA |
| 供应商设备封装： | 165-PBGA（13x15） |
| 包装： | 散装 |
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μ PD44646092A-A, 44646182A-A, 44646362A-A, 44646093A-A, 44646183A-A, 44646363A-A
Feature Differences between DDR II and DDR II+
Features
Frequency (DLL/PLL ON)
Organization
V DD
V DD Q
Read Latency
Write Latency
Input Clocks (K, K#)
Output Clocks (C, C#)
Echo Clock Number (CQ, CQ#)
Package
Fixed Burst Address for DDR CIO;
A0 for burst 2
QVLD
ODT
DDR II
200 MHz to 333 MHz
x9 / x18 / x36
1.8 ± 0.1 V
1.8 ± 0.1 V or 1.5 ± 0.1 V
1.5 clock cycles
1.0 clock cycle
Single Ended (K, K#)
Yes
1 Pair
165-pin PLASTIC BGA (15 x 17)
Yes
No
No
DDR II+
300 MHz to 500 MHz
x9 / x18 / x36
1.8 ± 0.1 V
1.8 ± 0.1 V or 1.5 ± 0.1 V
2.0 & 2.5 clock cycles
1.0 clock cycle
Single Ended (K, K#)
No
1 Pair
165-pin PLASTIC BGA (15 x 17)
No
Yes
Yes
Note
1
2
3
4
5
6
Notes 1. DDR II+ read latency is not user selectable. Offered as two different devices. 2.5 clock cycle is consortium
standard, and 2.0 clock cycle is vendor option.
2. DDR II+ write latency is 1.0 clock cycle regardless of read latency.
3. Echo Clocks are single-ended outputs.
4. Linear burst is not supported at DDR II + CIO.
5. Edge aligned with Echo Clocks.
6. ODT ON/OFF is user selectable.
Data Sheet M19960EJ2V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD44647366AF5-E22-FQ1-A | SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPD44646363AF5-E25-FQ1 | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44646363AF5-E25-FQ1-A | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44647186AF5-E22-FQ1 | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| UPD44647186AF5-E22-FQ1-A | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44647186AF5-E25-FQ1 | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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