参数资料
型号: UPD44646363AF5-E22-FQ1-A
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 8/42页
文件大小: 0K
描述: SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA
标准包装: 1
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步,DDR II+
存储容量: 72M(2M x 36)
速度: 450MHz
接口: 并联
电源电压: 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 165-LBGA
供应商设备封装: 165-PBGA(13x15)
包装: 散装
μ PD44646092A-A, 44646182A-A, 44646362A-A, 44646093A-A, 44646183A-A, 44646363A-A
165-pin PLASTIC BGA (15 x 17)
(Top View)
[ μ PD44646362A-A], [ μ PD44646363A-A]
2M x 36
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ#
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DLL#
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
NC/144M
DQ27
NC
DQ29
NC
DQ30
DQ31
V REF
NC
NC
DQ33
NC
DQ35
NC
TCK
A
DQ18
DQ28
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
V DD Q
DQ32
DQ23
DQ24
DQ34
DQ25
DQ26
A
R, W#
A
V SS
V SS
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V SS
V SS
A
A
BW2#
BW3#
A
V SS
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
V SS
A
A
A
K#
K
NC
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
A
QVLD
ODT
BW1#
BW0#
A
V SS
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
V SS
A
A
A
LD#
A
V SS
V SS
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V DD Q
V SS
V SS
A
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V DD Q
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
A
NC
DQ17
NC
DQ15
NC
NC
V REF
DQ13
DQ12
NC
DQ11
NC
DQ9
TMS
CQ
DQ8
DQ7
DQ16
DQ6
DQ5
DQ14
ZQ
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ10
DQ0
TDI
A
DQ0 to DQ35
LD#
R, W#
BW0# to BW3#
K, K#
CQ, CQ#
ZQ
DLL#
QVLD
ODT
: Address inputs
: Data inputs / outputs
: Synchronous load
: Read Write input
: Byte Write data select
: Input clock
: Echo clock
: Output impedance matching
: DLL/PLL disable
: Q Valid output
: ODT Control Input
TMS
TDI
TCK
TDO
V REF
V DD
V DD Q
V SS
NC
NC/xxM
: IEEE 1149.1 Test input
: IEEE 1149.1 Test input
: IEEE 1149.1 Clock input
: IEEE 1149.1 Test output
: HSTL input reference input
: Power Supply
: Power Supply
: Ground
: No connection
: Expansion address for xxMb
Remarks 1. ××× # indicates active LOW signal.
2. Refer to Package Drawing for the index mark.
3. 2A is expansion address for 144Mb.
6
Data Sheet M19960EJ2V0DS
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PDF描述
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UPD44646363AF5-E25-FQ1-A 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
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