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参数资料
| 型号： | UPD44646363AF5-E22-FQ1-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量： | 72M（2M x 36） |
| 速度： | 450MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-LBGA |
| 供应商设备封装： | 165-PBGA（13x15） |
| 包装： | 散装 |
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μ PD44646092A-A, 44646182A-A, 44646362A-A, 44646093A-A, 44646183A-A, 44646363A-A
Ordering Information
2.0 Clock Cycles Read Latency
Part number
Cycle
Time
Clock
Frequency
Organization
(word x bit)
Core
Supply
Voltage
I/O
Interface
Package
ns
MHz
V
μ PD44646092AF5-E25-FQ1-A Note
2.5
400
8M x 9
1.8 ± 0.1
HSTL
165-pin PLASTIC
μ PD44646092AF5-E30-FQ1-A
μ PD44646092AF5-E33-FQ1-A
μ PD44646182AF5-E25-FQ1-A Note
μ PD44646182AF5-E30-FQ1-A
μ PD44646182AF5-E33-FQ1-A
3.0
3.3
2.5
3.0
3.3
333
300
400
333
300
4M x 18
BGA (15 x 17)
Lead-free
μ PD44646362AF5-E25-FQ1-A
μ PD44646362AF5-E30-FQ1-A
μ PD44646362AF5-E33-FQ1-A
Note
2.5
3.0
3.3
400
333
300
2M x 36
Note Please contact our sales.
2.5 Clock Cycles Read Latency
Part number
Cycle
Time
Clock
Frequency
Organization
(word x bit)
Core Supply
Voltage
I/O
Interface
Package
ns
MHz
V
μ PD44646093AF5-E20-FQ1-A Note
2.0
500
8M x 9
1.8 ± 0.1
HSTL
165-pin PLASTIC
μ PD44646093AF5-E22-FQ1-A
μ PD44646093AF5-E25-FQ1-A
μ PD44646093AF5-E30-FQ1-A
μ PD44646183AF5-E20-FQ1-A Note
μ PD44646183AF5-E22-FQ1-A
μ PD44646183AF5-E25-FQ1-A
μ PD44646183AF5-E30-FQ1-A
μ PD44646363AF5-E20-FQ1-A Note
μ PD44646363AF5-E22-FQ1-A
μ PD44646363AF5-E25-FQ1-A
μ PD44646363AF5-E30-FQ1-A
2.2
2.5
3.0
2.0
2.2
2.5
3.0
2.0
2.2
2.5
3.0
450
400
333
500
450
400
333
500
450
400
333
4M x 18
2M x 36
BGA (15 x 17)
Lead-free
Note Please contact our sales.
2
Data Sheet M19960EJ2V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD44647366AF5-E22-FQ1-A | SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA |
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| USBMLCF | USB BDM INTERFACE MC P&E |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPD44646363AF5-E25-FQ1 | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44646363AF5-E25-FQ1-A | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44647186AF5-E22-FQ1 | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| UPD44647186AF5-E22-FQ1-A | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44647186AF5-E25-FQ1 | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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