- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录368 > UPD44646363AF5-E22-FQ1-A (Renesas Electronics America)SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | UPD44646363AF5-E22-FQ1-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量： | 72M（2M x 36） |
| 速度： | 450MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-LBGA |
| 供应商设备封装： | 165-PBGA（13x15） |
| 包装： | 散装 |
第1页第2页当前第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页
DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
μ PD44646092A-A, 44646182A-A, 44646362A-A, 44646093A-A, 44646183A-A, 44646363A-A
72M-BIT DDR II+ SRAM
2.0 & 2.5 CLOCK CYCLES READ LATENCY
2-WORD BURST OPERATION
Description
The μ PD44646092A-A and μ PD44646093A-A are 8,388,608-word by 9-bit, the μ PD44646182A-A and μ PD44646183A-A
are 4,194,304-word by 18-bit and the μ PD44646362A-A and μ PD44646363A-A are 2,097,152-word by 36-bit synchronous
double data rate static RAM fabricated with advanced CMOS technology using full CMOS six-transistor memory cell.
The μ PD44646xx2A-A is for 2.0 clock cycles and the μ PD44646xx3A-A is for 2.5 clock cycles read latency. The
μ PD44646092A-A, μ PD44646093A-A, μ PD44646182A-A, μ PD44646183A-A, μ PD44646362A-A and μ PD44646363A-A
integrate unique synchronous peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (K
and K#) are latched on the positive edge of K and K#.
These products are suitable for application which require synchronous operation, high speed, low voltage, high density
and wide bit configuration.
These products are packaged in 165-pin PLASTIC BGA.
Features
? 1.8 ± 0.1 V power supply
? 165-pin PLASTIC BGA (15 x 17)
? HSTL interface
? DLL/PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling
? Pipelined double data rate operation
? Common data input/output bus
? Two-tick burst for low DDR transaction size
? Two input clocks (K and K#) for precise DDR timing at clock rising edges only
? Two Echo clocks (CQ and CQ#)
? Data Valid pin (QVLD) supported
? Read latency : 2.0 & 2.5 clock cycles (Not selectable by user)
? Internally self-timed write control
? Clock-stop capability. Normal operation is restored in 20 μ s after clock is resumed.
? User programmable impedance output (35 to 70 Ω )
? Fast clock cycle time : 2.5 ns (400 MHz) for 2.0 clock cycles read latency,
2.0 ns (500 MHz) for 2.5 clock cycles read latency
? Simple control logic for easy depth expansion
? JTAG 1149.1 compatible test access port
? On-Die Termination (ODT) for better signal quality (Selectable ON/OFF by user)
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics
sales representative for availability and additional information.
Document No. M19960EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published March 2010
Printed in Japan
2009, 2010
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD44647366AF5-E22-FQ1-A | SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA |
| USB-100 | KIT STARTER FOR USB |
| USBMLCF | USB BDM INTERFACE MC P&E |
| USBMLPPCBDM | MULTILINK P&E POWERPC USB |
| V-9767-L | DOOR ECONOGLAS 19" LOCKING |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPD44646363AF5-E25-FQ1 | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44646363AF5-E25-FQ1-A | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44647186AF5-E22-FQ1 | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| UPD44647186AF5-E22-FQ1-A | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44647186AF5-E25-FQ1 | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。