- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录11105 > UPD70F3747GB-GAH-AX (Renesas Electronics America)MCU 32BIT V850ES/HX3 64-LQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | UPD70F3747GB-GAH-AX |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 160/191页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 32BIT V850ES/HX3 64-LQFP |
| 标准包装： | 300 |
| 系列： | V850ES/Hx3 |
| 核心处理器： | V850ES |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 32MHz |
| 连通性： | CSI，I²C，UART/USART |
| 外围设备： | DMA，LVD，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 51 |
| 程序存储器容量： | 128KB（128K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 8K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 10x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页当前第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页
User’s Manual U18854EJ2V0UD
3
1
2
3
4
VOLTAGE APPLICATION WAVEFORM AT INPUT PIN
Waveform distortion due to input noise or a reflected wave may cause malfunction. If the input of the
CMOS device stays in the area between VIL (MAX) and VIH (MIN) due to noise, etc., the device may
malfunction. Take care to prevent chattering noise from entering the device when the input level is fixed,
and also in the transition period when the input level passes through the area between VIL (MAX) and
VIH (MIN).
HANDLING OF UNUSED INPUT PINS
Unconnected CMOS device inputs can be cause of malfunction. If an input pin is unconnected, it is
possible that an internal input level may be generated due to noise, etc., causing malfunction. CMOS
devices behave differently than Bipolar or NMOS devices. Input levels of CMOS devices must be fixed
high or low by using pull-up or pull-down circuitry. Each unused pin should be connected to VDD or GND
via a resistor if there is a possibility that it will be an output pin. All handling related to unused pins must
be judged separately for each device and according to related specifications governing the device.
PRECAUTION AGAINST ESD
A strong electric field, when exposed to a MOS device, can cause destruction of the gate oxide and
ultimately degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as
much as possible, and quickly dissipate it when it has occurred.
Environmental control must be
adequate. When it is dry, a humidifier should be used. It is recommended to avoid using insulators that
easily build up static electricity. Semiconductor devices must be stored and transported in an anti-static
container, static shielding bag or conductive material. All test and measurement tools including work
benches and floors should be grounded.
The operator should be grounded using a wrist strap.
Semiconductor devices must not be touched with bare hands. Similar precautions need to be taken for
PW boards with mounted semiconductor devices.
STATUS BEFORE INITIALIZATION
Power-on does not necessarily define the initial status of a MOS device. Immediately after the power
source is turned ON, devices with reset functions have not yet been initialized. Hence, power-on does
not guarantee output pin levels, I/O settings or contents of registers. A device is not initialized until the
reset signal is received. A reset operation must be executed immediately after power-on for devices
with reset functions.
POWER ON/OFF SEQUENCE
In the case of a device that uses different power supplies for the internal operation and external
interface, as a rule, switch on the external power supply after switching on the internal power supply.
When switching the power supply off, as a rule, switch off the external power supply and then the
internal power supply. Use of the reverse power on/off sequences may result in the application of an
overvoltage to the internal elements of the device, causing malfunction and degradation of internal
elements due to the passage of an abnormal current.
The correct power on/off sequence must be judged separately for each device and according to related
specifications governing the device.
INPUT OF SIGNAL DURING POWER OFF STATE
Do not input signals or an I/O pull-up power supply while the device is not powered. The current
injection that results from input of such a signal or I/O pull-up power supply may cause malfunction and
the abnormal current that passes in the device at this time may cause degradation of internal elements.
Input of signals during the power off state must be judged separately for each device and according to
related specifications governing the device.
NOTES FOR CMOS DEVICES
5
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EFM32LG895F128 | IC MCU 32BIT 128KB FLASH BGA120 |
| MAX14802CCM+T | IC SWITCH SPST 48LQFP |
| MAX14806CCM+ | IC MUX DUAL 8CH HV 48LQFP |
| VE-B7L-IY-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 28V 50W |
| MAX14805CCM+ | IC MUX DUAL 8CH HV 48LQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPD70F3750GK-GAK-AX | 功能描述:MCU 32BIT V850ES/HX3 80-LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:V850ES/Hx3 标准包装:250 系列:80C 核心处理器:8051 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:EBI/EMI，I²C，UART/USART 外围设备:POR，PWM，WDT 输入/输出数:40 程序存储器容量:- 程序存储器类型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:68-LCC（J 形引线） 包装:带卷 (TR) |
| UPD70F3752GC-UEU-AX | 功能描述:MCU 32BIT V850ES/HX3 100-LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:V850ES/Hx3 标准包装:250 系列:80C 核心处理器:8051 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:EBI/EMI，I²C，UART/USART 外围设备:POR，PWM，WDT 输入/输出数:40 程序存储器容量:- 程序存储器类型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:68-LCC（J 形引线） 包装:带卷 (TR) |
| UPD70F3755GJ(R)-GAE-AX | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:V850/HJ3 256KROM/16KRAM 32MHZ 144LQFP - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC MCU 32BIT 256KB FLASH 144LQFP |
| UPD70F3755GJ(S)-GAE-AX | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:V850/HJ3 256KROM/16KRAM 32MHZ 144LQFP - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC MCU 32BIT 256KB FLASH 144LQFP |
| UPD70F3755GJ-GAE-AX | 功能描述:MCU 32BIT V850ES/HX3 144-LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:V850ES/Hx3 标准包装:250 系列:80C 核心处理器:8051 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:EBI/EMI，I²C，UART/USART 外围设备:POR，PWM，WDT 输入/输出数:40 程序存储器容量:- 程序存储器类型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:68-LCC（J 形引线） 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。