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参数资料
型号： UPD70F3747GB-GAH-AX
厂商： Renesas Electronics America
文件页数： 53/191页
文件大小： 0K
描述： MCU 32BIT V850ES/HX3 64-LQFP
标准包装： 300
系列： V850ES/Hx3
核心处理器： V850ES
芯体尺寸： 32-位
速度： 32MHz
连通性： CSI，I²C，UART/USART
外围设备： DMA，LVD，PWM，WDT
输入/输出数： 51
程序存储器容量： 128KB（128K x 8）
程序存储器类型： 闪存
RAM 容量： 8K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 3.7 V ~ 5.5 V
数据转换器： A/D 10x10b
振荡器型： 内部
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 64-LQFP
包装： 托盘
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PIC32MX5XX/6XX/7XX
DS61156G-page 184
2009-2011 Microchip Technology Inc.
31.1
DC Characteristics
TABLE 31-1:
OPERATING MIPS VS. VOLTAGE
Characteristic
VDD Range
(in Volts)
Temp. Range
(in °C)
Max. Frequency
PIC32MX5XX/6XX/7XX
DC5
2.3-3.6V
-40°C to +85°C
80 MHz
DC5b
2.3-3.6V
-40°C to +105°C
80 MHz
TABLE 31-2:
THERMAL OPERATING CONDITIONS
Rating
Symbol
Min.
Typical
Max.
Unit
Industrial Temperature Devices
Operating Junction Temperature Range
TJ
-40
—
+125
°C
Operating Ambient Temperature Range
TA
-40
—
+85
°C
V-Temp Temperature Devices
Operating Junction Temperature Range
TJ
-40
—
+140
°C
Operating Ambient Temperature Range
TA
-40
—
+105
°C
Power Dissipation:
Internal Chip Power Dissipation:
PINT = VDD x (IDD – S IOH)
PD
PINT + PI/O
W
I/O Pin Power Dissipation:
I/O = S (({VDD – VOH} x IOH) + S (VOL x IOL))
Maximum Allowed Power Dissipation
PDMAX
(TJ – TA)/
θJA
W
TABLE 31-3:
THERMAL PACKAGING CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol Typical
Max.
Unit
See
Note
Package Thermal Resistance, 121-Pin XBGA (10x10x1.1 mm)
θJA
40
—
°C/W
1
Package Thermal Resistance, 100-Pin TQFP (14x14x1 mm)
θJA
43
—
°C/W
1
Package Thermal Resistance, 100-Pin TQFP (12x12x1 mm)
θJA
43
—
°C/W
1
Package Thermal Resistance, 64-Pin TQFP (10x10x1 mm)
θJA
47
—
°C/W
1
Package Thermal Resistance, 64-Pin QFN (9x9x0.9 mm)
θJA
28
—
°C/W
1
Note 1:
Junction to ambient thermal resistance, Theta-JA (
θJA) numbers are achieved by package simulations.
TABLE 31-4:
DC TEMPERATURE AND VOLTAGE SPECIFICATIONS
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions: 2.3V to 3.6V
(unless otherwise stated)
Operating temperature
-40°C
≤TA ≤+85°C for Industrial
-40°C
≤TA ≤+105°C for V-Temp
Param.
No.
Symbol
Characteristics
Min.
Typical
Max.
Units
Conditions
Operating Voltage
DC10
VDD
Supply Voltage
2.3
—
3.6
V
—
DC12
VDR
RAM Data Retention Voltage(1)
1.75
—
V
—
DC16
VPOR
VDD Start Voltage
to Ensure
Internal Power-on Reset Signal
1.75
—
2.1
V
—
DC17
SVDD
VDD Rise Rate
to Ensure
Internal Power-on Reset Signal
0.00005
—
0.115
V/
μs—
Note 1:
This is the limit to which VDD can be lowered without losing RAM data.
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