型号: | US6J11TR |
厂商: | Rohm Semiconductor |
文件页数: | 3/12页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 |
标准包装: | 3,000 |
FET 型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 12V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 1.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 260 毫欧 @ 1.3A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 2.4nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 290pF @ 6V |
功率 - 最大: | 700mW |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商设备封装: | UMT6 |
包装: | 带卷 (TR) |