参数资料
型号: US6J11TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 5/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
标准包装: 3,000
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 260 毫欧 @ 1.3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 290pF @ 6V
功率 - 最大: 700mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: UMT6
包装: 带卷 (TR)
US6J11
l Electrical characteristic curves
Fig.5 Typical Output Characteristics(I)
2
Data Sheet
Fig.6 Typical Output Characteristics(II)
2
1.5
1
T a =25oC
Pulsed
V GS = - 10.0V
V GS = - 4.5V
V GS = - 2.5V
V GS = - 1.8V
1.5
1
V GS = - 4.5V
V GS = - 2.5V
V GS = - 1.8V
T a =25oC
Pulsed
V GS = - 1.5V
V GS = - 1.5V
0.5
V GS = - 1.2V
0.5
V GS = - 1.2V
V GS = - 1.0V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.7 Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
60
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
10
40
V GS = 0V
I D = - 1mA
Pulsed
1
0.1
V DS = - 6V
Pulsed
T a = 125oC
T a = 75oC
T a = 25oC
T a = - 25oC
20
0.01
0
-50
0
50
100
150
0.001
0
0.5
1
1.5
2
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Gate - Source Voltage : -V GS [V]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
5/11
2012.10 - Rev.B
相关PDF资料
PDF描述
US6K2TR MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
US6K4TR MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6
US6M11TR MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6
US6M1TR MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6
US6U37TR MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
相关代理商/技术参数
参数描述
US6J2 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (−20V, −1A)
US6J2PAK 功能描述:电路保护套件 ASSEM KIT for LFPSJ 60A 2 Pole RoHS:否 制造商:Sola/Hevi-Duty 产品:Hardware 系列: 类型:Terminal Cover
US6J2TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
US6J3 制造商:Ferraz Shawmut 功能描述:
US6J3PAK 功能描述:电路保护套件 ASSEM KIT for LFPSJ 60A 3 Pole RoHS:否 制造商:Sola/Hevi-Duty 产品:Hardware 系列: 类型:Terminal Cover