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参数资料
| 型号： | US6J11TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 260 毫欧 @ 1.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | UMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
US6J11
l Electrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
Data Sheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
100
100
T a =25oC
Single Pulse
Mounted on a ceramic board.
P W = 100 m s
80
10
(30mm × 30mm × 0.8mm)
P W = 1ms
P W = 10ms
60
1
40
20
0.1
DC Operation
Operation in this area
is limited by R DS (on)
(V GS = - 4.5V)
0
0
50
100
150
200
0.01
0.1
1
10
100
Junction Temperature : Tj [ ° C]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
10
T a =25oC
Single Pulse
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.4 Single Pulse Maxmum
Power dissipation
1000
T a =25oC
Single Pulse
1
100
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.01
top D = 1
D = 0.5
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
bottom Single
Rth(ch-a)=179oC/W
Rth(ch-a)(t)=r(t) × Rth(ch-a)
Mounted on ceramic board
(30mm × 30mm × 0.8mm)
1 100
10
1
0.0001
0.01
1
100
Pulse Width : P W [s]
Pulse Width : P W [s]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.10 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| US6K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6 |
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| US6M1TR | MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| US6J3 | 制造商:Ferraz Shawmut 功能描述: |
| US6J3PAK | 功能描述:电路保护套件 ASSEM KIT for LFPSJ 60A 3 Pole RoHS:否 制造商:Sola/Hevi-Duty 产品:Hardware 系列: 类型:Terminal Cover |
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