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参数资料
| 型号： | V58C2128164SBLI6 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, GREEN, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66 |
| 文件页数： | 42/60页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | V58C2128164SBLI6 |
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ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2128(804/404/164)SB
V58C2128(804/404/164)SB Rev. 2.2 March 2007
Figure 36 - DATA INPUT (WRITE) TIMING
DI n = Data In for column n
Burst Length = 4 in the case shown
3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed
order following DI n
Figure 37 - DATA OUTPUT (READ) TIMING
1. tDQSQ max occurs when DQS is the earliest among DQS and DQ signals to transition.
2. tDQSQ min occurs when DQS is the latest among DQS and DQ signals to transition.
3. tDQSQ nom, shown for reference, occurs when DQS transitions in the center among DQ signal transitions.
DON'T CARE
DQ
DM
DQS
DI
n
tDS
tDH
tDS
tDH
tDSL tDSH
t
min
DQSQ
t
max
DQSQ
DQ
DQS
t
min
DQSQ
t
max
DQSQ
t
nom
DQSQ
Burst Length = 4 in the case shown
tDV
DQS, DQ
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