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参数资料
| 型号： | V58C2128164SBLI6 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, GREEN, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66 |
| 文件页数： | 50/60页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | V58C2128164SBLI6 |
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V58C2128(804/404/164)SB Rev. 2.2 March 2007
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2128(804/404/164)SB
Figure 44 - BANK READ ACCESS
CK
/CK
COMMAND
NOP
READ
ACT
CKE
RA
A10
BA0, BA1
Bank
x
Bank
x
NOP
PRE
DIS AP
ONE BANK
ALL BANKS
tCK
tCH
tCL
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS tIH
RA
DO
n = Data Out from column n
Burst Length = 4 in the case shown
3 subsequent elements of Data Out are provided in the programmed order following DO
n
DIS AP = Disable Autoprecharge
* = "Don't Care", if A10 is HIGH at this point
PRE = PRECHARGE, ACT = ACTIVE, RA = Row Address, BA = Bank Address
NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at these times
Note that tRCD > tRCD MIN so that the same timing applies if Autoprecharge is enabled (in which case tRAS would be limiting)
tRCD
tRAS
tRC
*Bank
x
Bank
x
tRP
CL = 2
Col
n
ACT
x4:A0-A9
x8:A0-A8
x16:A0-A7
x4:A11
x8:A9, A11
x16:A8, A9, A11
DON'T CARE
DQ
DM
DQS
Case 1:
tAC/tDQSCK = min
Case 2:
tAC/tDQSCK = max
DQ
DQS
tRPRE
t
min
HZ
t
max
HZ
t
min
LZ
t
max
LZ
t
max
LZ
t
min
LZ
t
min
AC
t
max
t
min
t
max
AC
DO
n
DO
n
DQSCK
RPST
DQSCK
RPST
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