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参数资料
| 型号： | VKM60-01P1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET H-BRIDGE 100V ECO-PAC2 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | 4 N 通道（半桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ECO-PAC2 |
| 供应商设备封装： | ECO-PAC2 |
| 包装： | 散装 |
VKM 60-01P1
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Conditions
min. typ.
max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive;
I F = I D25 , V GS = 0 V,
75
300
1.75
A
A
V
Pulse test, t < 300 μs, duty cycle d < 2%
t rr
I F = 25 A, -di/dt = 100 A/μs, T J = 25°C
V R = 25 V T J = 125°C
300
200
ns
ns
Temperature Sensor NTC
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R 25
B 25/50
T = 25°C
4.75
5.0
3375
5.25 k ?
K
Module
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T stg
-40...+150
-40...+125
° C
° C
V ISOL
M d
a
I ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz; t = 1 s
mounting torque (M4)
Max. allowable acceleration
3600
1.5 - 2.0
14 - 18
50
V~
Nm
lb.in.
m/s 2
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
d S
Creepage distance on surface (Pin to heatsink)
11.2
mm
d A
Weight
Strike distance in air (Pin to heatsink)
11.2
24
mm
g
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Data according to IEC 60747 refer to a single diode or transistor unless otherwise stated
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2005 IXYS All rights reserved
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