参数资料
型号: VKM60-01P1
厂商: IXYS
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET H-BRIDGE 100V ECO-PAC2
标准包装: 25
系列: HiPerFET™
FET 型: 4 N 通道(半桥)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V
功率 - 最大: 300W
安装类型: 通孔
封装/外壳: ECO-PAC2
供应商设备封装: ECO-PAC2
包装: 散装
VKM 60-01P1
200
T J = 25° C
V GS = 10V
9V
150
125
150
100
8V
100
75
50
7V
50
0
6V
5V
25
0
T J = 125°C
T J = 25°C
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1,4
V DS - Volts
Fig. 1 Output Characteristics
2,50
V GS - Volts
Fig. 2 Input Admittance
1,3
1,2
1,1
T J = 25° C
V GS = 10V
2,25
2,00
1,75
1,50
I D = 37.5A
1,0
0,9
0,8
V GS = 15V
1,25
1,00
0,75
0,50
0
20
40
60
80
100 120 140 160
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
80
I D - Amperes
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
1,2
T J - Degrees C
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
60
40
20
0
1,1
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
V GS(th)
BV DSS
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees C
Fig. 5 Drain Current vs. Case Temperature
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2005 IXYS All rights reserved
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