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参数资料
| 型号： | VKM60-01P1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET H-BRIDGE 100V ECO-PAC2 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | 4 N 通道（半桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ECO-PAC2 |
| 供应商设备封装： | ECO-PAC2 |
| 包装： | 散装 |
VKM 60-01P1
10
9
8
7
V DS = 50V
I D = 37.5A
I G = 1mA
100
Limited by R DS(on)
10
1
6
5
1m
4
3
2
1
0
10
1
1
10
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1
10
100
6000
5000
Gate Charge - nCoulombs
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
150
125
V DS - Volts
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
4000
3000
f = 1MHz
V DS = 25V
C iss
100
75
2000
1000
0
C oss
C rss
50
25
0
T J = 125°C
T J = 25°C
0
5
10
15
20
25
0,00
0,25
0,50
0,75
1,00
1,25
1,50
V DS - Volts
Fig.9 Capacitance Curves
V SD - Volt
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
D=0.5
0,1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0,01 D=0.02
D=0.0 1
Single pulse
0,001
0,00001
0,0001
0,001
0,01
0,1
1
10
Time - Seconds
Fig.11 Transient Thermal Impedance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2005 IXYS All rights reserved
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