参数资料
型号: VMO1200-01F
厂商: IXYS
文件页数: 2/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
标准包装: 2
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1245A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.35 毫欧 @ 932A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 64mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2520nC @ 10V
安装类型: 底座安装
封装/外壳: Y3-Li
供应商设备封装: Y3-Li
包装: 托盘
VMO 1200-01F
Source Drain Diode
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
V SD
t rr
Q rr
I RM
t rr
Q rr
I RM
I F = 1000 A; V GS = 0 V;
V DS = 50 V; I F = 1000 A
di F /dt = 650 A/μs
V DS = 50 V; I F = 1000 A
di F /dt = 630 A/μs
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
1.03
0.96
300
12.7
72
340
18
88
V
V
ns
μC
A
ns
μC
A
Module
Symbol
Conditions
Ratings
min.
typ.
max.
T VJ
T stg
V ISOL
I ISOL < 1 mA, 50/60 Hz
-40
-40
150
125
3600
°C
°C
V~
M d
Weight
Mounting torque (M6)
Terminal connection torque (M6)
2.25
4.5
250
2.75
5.5
Nm
Nm
g
Product Marking
Ordering
Standard
Part Name
VMO1200-01F
Marking on
Product
VMO1200-01F
Delivering
Mode
Box
Base Qty
2
Code Key
501051
20100614b
? 2010 IXYS All rights reserved
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