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参数资料
| 型号： | VMO1200-01F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1245A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.35 毫欧 @ 932A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 64mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2520nC @ 10V |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y3-Li |
| 供应商设备封装： | Y3-Li |
| 包装： | 托盘 |
VMO 1200-01F
16
12
E on , E rec
R G = 1.8 Ω
V DS = 50 V
V GS = 0/10 V
T VJ = 125°C
t r
1600
1200
t
100
80
E off 60
R G = 1.8 Ω
V DS = 50 V
V GS = 0/10 V
T VJ = 125°C
t r
t d(off)
1000
800
600
t
[mJ]
8
4
E on
t d(on)
800
400
[ns]
[mJ]
40
20
400
200
[ns]
0
0
E rec(off)
200
400
600
800
1000
0
0
0
E off
200
400
600
800
0
1000
I D [A]
Fig. 6 Typ. turn-on energy & switching times vs.
drain source current, inductive switching
I D [A]
Fig. 7 Typ. turn-off energy & switching times vs.
drain source current, inductive switching
30
25
20
E on , E rec
I D = 1000 A
V DS = 50 V
V GS = 0/10 V
T VJ = 125°C
t r
3000
2500
2000
t
90
85
80
E off 75
I D = 1000 A
V DS = 50 V
V GS = 0/10 V
T VJ = 125°C
t d(off)
2000
1800
1600
1400
t
15
1500
70
1200
[mJ]
10
5
E on
E rec(on)
t d(on)
1000
500
[ns]
[mJ]
65
60
55
E off
t f
1000
800
600
[ns]
0
0
2
4
6
8
0
10
50
0
2
4
6
8
400
10
12
R G [ Ω ]
Fig. 8 Typ. turn-on energy & switching times vs.
gate resistor, inductive switching
V DS = 50 V
400
R G [ Ω ]
Fig. 9 Typ. turn-off energy & switching times vs.
gate resistor, inductive switching
V R = 50 V
10
I D = 1000 A
T VJ = 25°C
380
I D = 1000 A
T VJ = 25°C
V GS
8
t rr
360
[V]
6
4
2
[ns]
340
320
300
0
0
400
800
1200
1600
2000
280
200
300
400
500
600
700
Q G [nC]
Fig. 10 Typical gate charge characteristic
di F /dt [A/μs]
Fig. 11 Typ. reverse recovery time t rr
of the body diode versus di/dt
20100614b
? 2010 IXYS All rights reserved
5-6
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