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参数资料
| 型号： | VMO1200-01F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1245A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.35 毫欧 @ 932A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 64mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2520nC @ 10V |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y3-Li |
| 供应商设备封装： | Y3-Li |
| 包装： | 托盘 |
VMO 1200-01F
120
24
100
V R = 50 V
I D = 1000 A
T VJ = 25°C
22
20
18
V R = 50 V
I D = 1000 A
T VJ = 25°C
I RM
80
Q rr
16
14
[A]
60
40
[μC] 12
10
8
6
20
200
300
400
500
600
700
4
200
300
400
500
600
700
1000
800
I S 600
[A] 400
200
di F /dt [A/μs]
Fig. 13 Typ. reverse recovery current I RM
of the body diode versus di/dt
0.07
0.06
0.05
R thJH 0.04
[K/W] 0.03
0.02
0.01
di F /dt [A/μs]
Fig. 14 Typical reverse recovery charge Q rr
of the body diode versus di/dt
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
1
10
100
1000
10000
V SD [V]
Fig. 15 Source drain current I F (body diode) vs.
typical source drain voltage V SD
t [ms]
Fig. 16 Typ. transient thermal impedance
with heat tranfer paste (IXYS test setup)
V GS
0.9 V GS
V DS
I D
0.1 V GS
0.9 I D
0.1 I D
0.9 I D
0.1 I D
t
t
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig. 17 Definition of switching times
20100614b
? 2010 IXYS All rights reserved
6-6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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