参数资料
型号: VMO1600-02P
厂商: IXYS
文件页数: 2/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
标准包装: 2
系列: PolarHT™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1900A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.7 毫欧 @ 1600A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2900nC @ 10V
安装类型: 底座安装
封装/外壳: Y3-Li
供应商设备封装: Y3-Li
包装: 托盘
VMO 1600-02P
Source Drain Diode
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
V SD
t rr
Q rr
I RM
t rr
Q rr
I RM
I F = 1600 A; V GS = 0 V;
V DS = 100 V; I F = 1600 A
dV F /dt = 1300 A/μs
V DS = 100 V; I F = 1600 A
dV F /dt = 1300 A/μs
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
1.17
1.13
340
40
210
380
56
250
V
V
ns
μC
A
ns
μC
A
Module
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T stg
-40...+150
-40...+125
°C
°C
V ISOL
M d
I ISOL < 1 mA; 50/60 Hz
mounting torque (M6)
teminal connection torque (M6)
3600
2.25 - 2.75
4.5 - 5.5
V~
Nm
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
Weight
min.
typ.
250
max.
g
Ordering
Part Name
Marking on
Product
Delivering
Mode
Base
Qty
Code Key
Standard
VMO 1600-02P VMO 1600-02P
Box
2
504288
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
20100302b
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