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参数资料
| 型号： | VMO1600-02P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1900A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.7 毫欧 @ 1600A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2900nC @ 10V |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y3-Li |
| 供应商设备封装： | Y3-Li |
| 包装： | 托盘 |
VMO 1600-02P
30
1200
150
1200
25
V DS = 100 V
V GS = 0/10 V
t r
1000
1000
20
15
10
R G = 1.8 Ω
T J = 125°C
t d(on)
800
600
400
100
50
V DS = 100 V
V GS = 0/10 V
R G = 1.8 Ω
T J = 125°C
t d(off)
t f
800
600
400
E rec(off)
E off
5
0
0
200
E on
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
0
0
200
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
I D [A]
Fig.7 Typ. turn-on energy & switching times vs.
drain source current, inductive switching
I D [A]
Fig. 8 Typ. turn-off energy & switching times vs.
drain source current, inductive switching
100
V DS = 100 V
2000
300
V DS = 100 V
6000
80
V GS = 0/10 V
I D = 1600 A
T J = 125°C
t r
1600
250
200
V GS = 0/10 V
I D = 1600 A
T J = 125°C
5000
4000
60
1200
40
t d(on)
800
150
E off
t d(off)
3000
100
2000
20
E on
400
50
t f
1000
0
0
E rec(off)
2
4
R G [ Ω ]
6
8
0
10
0
0
2
4
R G [ Ω ]
6
8
0
10
Fig. 9
Typ. turn-on energy & switching times
Fig. 10 Typ. turn-off energy & switching times
500
vs. gate resistor, inductive switching
300
vs. gate resistor, inductive switching
V R = 100 V
400
250
I F = 1600 A
T VJ = 125°C
200
300
200
100
V R = 100 V
I F = 1600 A
T VJ = 125°C
150
100
50
0
400
600
800
-di F /dt [A/μs]
1000
1200
0
400
600
800 1000
-di F /dt [A/μs]
1200
Fig.11 Typ. reverse recovery time t rr
of the body diode versus di/dt
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
Fig. 12 Typ. reverse recovery current I RM
of the body diode versus di/dt
20100302b
5-6
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