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参数资料
| 型号： | VMO1600-02P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1900A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.7 毫欧 @ 1600A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2900nC @ 10V |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y3-Li |
| 供应商设备封装： | Y3-Li |
| 包装： | 托盘 |
VMO 1600-02P
60
1600
50
40
V R = 100 V
T VJ = 125°C
1400
1200
1000
800
30
20
600
400
200
T J = 125°C
T J = 25°C
10
400
600
800
1000
1200
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-di F /dt [A/μs]
Fig. 13 Typical reverse recovery charge Q rr
of the body diode vers u s di/dt
0.040
0.035
0.030
V SD [V]
Fig. 14 Source drain current I F (body diode) vs.
typical source drain voltage V SD
V GS
0.9 V GS
0.025
0.020
V DS
I D
0.1 V GS
0.9 I D
0.9 I D
t
0.015
0.010
0.1 I D
t d(on)
t r
t d(off)
t f
0.1 I D
t
0.005
0.000
1
10
100
t [ms]
1000
10000
Fig. 15 Definition of switching times
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
Fig. 16 Typ. thermal impedance junction to
heatsink Z thJH with heat transfer paste
20100302b
6-6
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