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参数资料
| 型号： | W19B320BTT7H |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 25/51页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 32M（4M x 8，2M x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -20°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | W19B320BTT-H W19B320BTT-H-ND |
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W19B320BT/B DATASHEET
7.5
CFI Query Identification String
DESCRIPTION
Query-unique ASCII string "QRY"
Primary OEM Command Set
Address for primary Extended Table
Alternate OEM Command Set (00h = none exists)
Address for Alternative OEM Extended table (00h = none exists)
7.5.1
System Interface String
DESCRIPTION
V DD Min. (write/erase)
D7-D4: volt , D3-D0: 100 mV
V DD Max. (write/erase)
D7-D4: volt , D3-D0: 100 mV
V PP Min. voltage (00h=no V PP pin present)
V PP Max. voltage (00h=no V PP pin present)
Typical timeout per single byte/word write 2 N μ s
Typical timeout for Min. size buffer write 2 N μ s (00h=not supported)
Typical timeout per individual block erase 2 N ms
Typical timeout for full chip erase 2 N ms (00h=not supported)
ADDRESS
(Word Mode)
10h
11h
12h
13h
14h
15h
16h
17h
18h
19h
1Ah
ADDRESS
(Word Mode)
1Bh
1Ch
1Dh
1Eh
1Fh
20h
21h
22h
DATA
0051h
0052h
0059h
0002h
0000h
0040h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
DATA
0027h
0036h
0000h
0000h
0004h
0000h
000Ah
0000h
ADDRESS
(Byte Mode)
20h
22h
24h
26h
28h
2Ah
2Ch
2Eh
30h
32h
34h
ADDRESS
(Byte Mode)
36h
38h
3Ah
3Ch
3Eh
40h
42h
44h
Max. timeout for byte/word write
2 N times
typical
23h
0005h
46h
Max. timeout for buffer write
2 N
times typical
24h
0000h
48h
Max. timeout per individual block erase
2 N
times typical
25h
0004h
4Ah
Max. timeout for full chip erase
supported)
2 N
times typical ( 00h = not
26h
0000h
4Ch
Publication Release Date:Dec, 22, 2008
- 25 -
Revisionv A5
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