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参数资料
| 型号： | W19B320BTT7H |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 39/51页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 32M（4M x 8，2M x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -20°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | W19B320BTT-H W19B320BTT-H-ND |
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W19B320BT/B DATASHEET
8.10
Erase and Program Operation
PARAMETER
Write Cycle Timing (Note 1)
Address setup Time
Address Setup Timing to #OE low during toggle bit
polling
Address Hold Time
Address Hold Time From #CE or #OE high during
toggle bit polling
Data Setup Time
Data Hold Time
Output Enable High During toggle bit polling
Read Recovery Time Before Write ( #OE High to
#WE Low)
#CE Setup Time
#CE HOLD Time
Write Pulse Width
Write Pulse Width High
Latency Between Read and Write Operation
SYM.
T WC
T AS
T ASO
T AH
T AHT
T DS
T DH
T OEPH
T GHWL
T CS
T CH
T WP
T WPH
T SR/W
MIN.
70
0
15
45
0
35
0
20
0
0
0
30
30
0
70ns
TYP.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MAX.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
UNIT
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Programming Time (Note 2)
Accelerated Programming Time
(Noe2)
Sector Erase Time (Note 2)
V DD Setup Time (Note 1)
Write Recovery Time from RY/#BY
Program/Erase Valid to RY/#BY Delay
Byte
Word
Byte
Word
T PB
T PW
T ACCP
T SE
T VCS
T RB
T BUSY
-
-
4
-
50
0
90
7
9
0.4
-
-
-
150
210
-
-
-
-
-
μ s
μ s
μ s
sec
μ s
ns
ns
Notes:
1.
2.
Not 100 % tested
See the “Alternate #CE Controlled Erase and Program Operations“ section for more information
8.11
Temporary Sector Unprotect
PARAMETER
VID Rise and Fall Time
VHH Rise and Fall Time
#RESET Setup Time for Temporary Sector Unprotect
#RESET Hold Time from RY/#BY High for Temporary
Sector Unprotect
SYM.
T VIDR
T VHH
T RSP
T RRB
MIN.
500
250
4
4
MAX.
-
-
-
-
UNIT
ns
ns
μ s
μ s
Note: Not 100 % tested1
Publication Release Date:Dec, 22, 2008
- 39 -
Revisionv A5
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