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参数资料
| 型号： | W19B320SBB9B |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| 封装： | TFBGA-48 |
| 文件页数： | 35/52页 |
| 文件大小： | 1869K |
| 代理商： | W19B320SBB9B |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页当前第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页
W19B(L)320ST/B
- 40 -
8.4.6 Erase And Program Operation
90 nS
PARAMETER
SYM.
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Write Cycle Timing
TWC
90
-
nS
Address setup Time
TAS
0
-
nS
Address Setup Timing to #OE low during toggle bit polling
TASO
15
-
nS
Address Hold Time
TAH
45
-
nS
Address Hold Time From #CE or #OE high during toggle
bit polling
TAHT
0
-
nS
Data Setup Time
TDS
45
-
nS
Data Hold Time
TDH
0
-
nS
Output Enable High During toggle bit polling
TOEPH
20
-
nS
Read Recovery Time Before Write (#OE High to #WE
Low)
TGHWL
0
-
nS
#CE Setup Time
TCS
0
-
nS
#CE HOLD Time
TCH
0
-
nS
Write Pulse Width
TWP
35
-
nS
Write Pulse Width High
TWPH
30
-
nS
Latency Between Read and Write Operation
TSR/W
0
-
nS
Byte
TPB
-
5
-
S
Programming Time
Word
TPW
-
7
-
S
Byte
Accelerated Programming Time
Word
TACCP
-
4
-
S
Sector Erase Time
TSE
-
0.7
-
sec
VDD Setup Time (Note 1)
TVCS
50
-
S
Write Recovery Time from RY/#BY
TRB
0
-
nS
Program/Erase Valid to RY/#BY Delay
TBUSY
90
-
nS
Note:
Not 100 % tested
8.4.7 Temporary Sector Unprotect
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
VID Rise and Fall Time (See Note)
TVIDR
500
-
nS
VHH Rise and Fall Time (See Note)
TVHH
250
-
nS
#RESET setup Time for Temporary Sector Unprotect
TRSP
4
-
S
#RESET Hold Time from RY/#BY High for Temporary
Sector Unprotect
TRRB
4
-
S
Note:
Not 100 % tested
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W19L320STT9K | 2M X 16 FLASH 3.3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
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| WS512K8L45IA | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 45 ns, CDIP32 |
| WF512K32F-150HM5 | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, HIP66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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