参数资料
| 型号： | W25Q64DWSFIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 45/82页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SPI 64MBIT 16SOIC |
| 标准包装： | 44 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 64M（8M x 8） |
| 速度： | 104MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页当前第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页
W25Q64DW
Instruction (Status Register bit WEL must equal 1). The instruction is initiated by driving the /CS pin low
and shifting the instruction code “20h” followed a 24-bit sector address (A23-A0) (see Figure 2). The
Sector Erase instruction sequence is shown in Figure 21a & 21b.
The /CS pin must be driven high after the eighth bit of the last byte has been latched. If this is not done the
Sector Erase instruction will not be executed. After /CS is driven high, the self-timed Sector Erase
instruction will commence for a time duration of t SE (See AC Characteristics). While the Sector Erase
cycle is in progress, the Read Status Register instruction may still be accessed for checking the status of
the BUSY bit. The BUSY bit is a 1 during the Sector Erase cycle and becomes a 0 when the cycle is
finished and the device is ready to accept other instructions again. After the Sector Erase cycle has
finished the Write Enable Latch (WEL) bit in the Status Register is cleared to 0. The Sector Erase
instruction will not be executed if the addressed page is protected by the Block Protect (CMP, SEC, TB,
BP2, BP1, and BP0) bits (see Status Register Memory Protection table).
/CS
Mode 3
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
29
30
31
Mode 3
CLK
Mode 0
Instruction (20h)
24-Bit Address
Mode 0
DI
(IO 0 )
DO
High Impedance
23
*
22
2
1
0
(IO 1 )
* = MSB
/CS
Figure 21a. Sector Erase Instruction (SPI Mode)
Mode 3
0
1
2
3
4
5
6
7
Mode 3
CLK
Mode 0
Mode 0
In structio n
20h
A23-16
A15-8
A7-0
IO 0
IO 1
IO 2
IO 3
20
21
22
23
16
17
18
19
12
13
14
15
8
9
10
11
4
5
6
7
0
1
2
3
Figure 21b. Sector Erase Instruction (QPI Mode)
Publication Release Date: September 18, 2012
- 45 -
Revision D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GBB105DHBT | CONN EDGECARD 210PS R/A .050 SLD |
| GCB95DHBN | CONN EDGECARD 190PS R/A .050 SLD |
| GCB95DHBD | CONN EDGECARD 190PS R/A .050 SLD |
| EMM44DRAN | CONN EDGECARD 88POS R/A .156 SLD |
| EMM44DRAH | CONN EDGECARD 88POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q64DWSFIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
| W25Q64DWSSIG | 功能描述:IC FLASH SPI 64MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| W25Q64DWSSIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
| W25Q64DWZEIG | 功能描述:IC FLASH SPI 64MBIT 8WSON RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| W25Q64DWZEIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。