参数资料
| 型号： | W25Q64DWSFIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 51/82页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SPI 64MBIT 16SOIC |
| 标准包装： | 44 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 64M（8M x 8） |
| 速度： | 104MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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W25Q64DW
10.2.27 Erase / Program Resume (7Ah)
The Erase/Program Resume instruction “7Ah” must be written to resume the Sector or Block Erase
operation or the Page Program operation after an Erase/Program Suspend. The Resume instruction “7Ah”
will be accepted by the device only if the SUS bit in the Status Register equals to 1 and the BUSY bit
equals to 0. After issued the SUS bit will be cleared from 1 to 0 immediately, the BUSY bit will be set from
0 to 1 within 200ns and the Sector or Block will complete the erase operation or the page will complete the
program operation. If the SUS bit equals to 0 or the BUSY bit equals to 1, the Resume instruction “7Ah”
will be ignored by the device. The Erase/Program Resume instruction sequence is shown in Figure 26a &
26b.
Resume instruction is ignored if the previous Erase/Program Suspend operation was interrupted by
unexpected power off. It is also required that a subsequent Erase/Program Suspend instruction not to be
issued within a minimum of time of “t SUS ” following a previous Resume instruction.
/CS
Mode 3
0
1
2
3
4
5
6
7
Mode 3
CLK
Mode 0
Mode 0
Instruction (7Ah)
DI
(IO 0 )
Resume previously
suspended Program or
Erase
Figure 26a. Erase/Program Resume Instruction (SPI Mode)
/CS
CLK
Mode 3
Mode 0
0
1
Mode 3
Mode 0
In structio n
7Ah
IO 0
IO 1
IO 2
IO 3
Resume previously
suspended Program or
Erase
Figure 26b. Erase/Program Resume Instruction (QPI Mode)
Publication Release Date: September 18, 2012
- 51 -
Revision D
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| W25Q64DWZEIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
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