参数资料
| 型号： | W25Q80BVDAIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 64/75页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SPI FLASH 8MBIT 8-DIP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 8M（1M x 8） |
| 速度： | 104MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页当前第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页
W25Q80BV
7.7 AC Electrical Characteristics ( cont’d)
SPEC
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
MIN
TYP
MAX
UNIT
/HOLD Active Hold Time relative to CLK
/HOLD Not Active Setup Time relative to CLK
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
t CHHH
t HHCH
t CHHL
5
5
5
ns
ns
ns
/HOLD to Output Low-Z
/HOLD to Output High-Z
Write Protect Setup Time Before /CS Low
Write Protect Hold Time After /CS High
/CS High to Power-down Mode
/CS High to Standby Mode without Electronic Signature
t HHQX (2)
t HLQZ (2)
t WHSL (3)
t SHWL (3)
t DP (2)
t RES 1 (2)
t LZ
t HZ
20
100
7
12
3
3
ns
ns
ns
ns
μs
μs
Read
/CS High to Standby Mode with Electronic Signature
t RES 2 (2)
1.8
μs
Read
/CS High to next Instruction after Suspend
t SUS (2)
20
μs
Write Status Register Time
Byte Program Time (First Byte) (4)
Additional Byte Program Time (After First Byte) (4)
Page Program Time
Sector Erase Time (4KB)
Block Erase Time (32KB)
Block Erase Time (64KB)
Chip Erase Time
t W
t BP1
t BP2
t PP
t SE
t BE 1
t BE 2
t CE
10
30
2.5
0.7
30
120
150
2
15
50
12
3
200/400 (5)
800
1,000
6
ms
μs
μs
ms
ms
ms
ms
s
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/f C .
Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when SRP[1:0]=(0,1).
For multiple bytes after first byte within a page, t BPN = t BP1 + t BP2 * N (typical) and t BPN = t BP1 + t BP2 * N (max), where N =
number of bytes programmed.
Max Value t SE with <50K cycles is 200ms and >50K & <100K cycles is 400ms.
- 64 -
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EP1S10F780C6N | IC STRATIX FPGA 10K LE 780-FBGA |
| EPF10K30AFC484-1 | IC FLEX 10KA FPGA 30K 484-FBGA |
| W25X20CLZPIG | IC FLASH SPI 2MBIT 8WSON |
| AX1000-FGG484I | IC FPGA AXCELERATOR 1M 484-FBGA |
| W25Q80BWSNIG | IC FLASH SPI 8MBIT 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q80BVDAIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVSNAG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVSNAP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVSNIG | 功能描述:IC SPI FLASH 8MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| W25Q80BVSNIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 8MBIT 104MHZ 8SOIC |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。