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参数资料
| 型号： | W29GL064CB7S |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 33/68页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 64MBIT 70NS 48TSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 64M（8M x 8，4M x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 管件 |
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W29GL064C
CFI mode: Device Geometry Data Values
Description
Device size = 2 n in number of bytes (17h=64Mb)
Flash device interface description (02=asynchronous
x8/x16)
Maximum number of bytes in buffer write = 2 n (00h, not
support)
Address
(Word Mode)
27h
28h
29h
2Ah
2Bh
Data
0017h
0002h
0000h
0005h
0000h
Address
(Byte Mode)
4Eh
50h
52h
54h
56h
Number of erase regions within device
H/L = 01h:uniform
2Ch
00xxh
58h
T/B = 02h:boot)
Index for Erase Bank Area 1:
[2E,2D] = # of same-size sectors in region 1-1
[30, 2F] = sector size in multiples of 256K-bytes
T/B = 0007, 0000, 0020, 0000
H/L = 007F, 0000, 0000, 0001
Index for Erase Bank Area 2
T/B = 007E, 0000, 0000, 0001
H/L = 0000, 0000, 0000, 0000
Index for Erase Bank Area 3
Index for Erase Bank Area 4
Table 7-21
CFI Mode: Device Geometry Data Values
2Dh
2Eh
2Fh
30h
31h
32h
33h
34h
35h
36h
37h
38h
39h
3Ah
3Bh
3Ch
00xxh
0000h
00xxh
00xxh
00xxh
0000h
0000h
00xxh
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
5Ah
5Ch
5Eh
60h
62h
64h
66h
68h
6Ah
6Ch
6Eh
70h
72h
74h
76h
78h
Publication Release Date: August 2, 2013
27
Revision H
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PDF描述 |
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