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参数资料
| 型号： | W947D6HBHX6E |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 5 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60 |
| 文件页数： | 25/60页 |
| 文件大小： | 1160K |
| 代理商： | W947D6HBHX6E |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页当前第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页
W947D6HB / W947D2HB
128Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date:Jun,17, 2011
- 31 -
Revision A01-003
7.5.7 Random Read Bursts
Full-speed random read accesses within a page or pages can be performed as shown in following figure.
CL=2
DO n
= Don't Care
BA,Col n
READ
NOP
CK
Command
Address
DQS
DQ
DQS
DQ
1) DO n ,etc. = Data Out from column n, etc.
nI, xI, etc. = Data Out elements, according to the programmed burst order
2) BA, Col n = Bank A, Column n
3) Burst Length=2,4,8 or 16 in cases shown (if burst of 4,8 or 16, the burst is interrupted)
4) Reads are to active rows in any banks
BA,Col b
CL=3
BA,Col x
READ
BA,Col g
DO nI
DO xI
DO x
DO b
DO g
DO bI
DO gI
DO bI
DO b
DO xI
DO x
DO nI
7.5.8 Read Burst Terminate
Data from any READ burst may be truncated with a BURST TERMINATE
command, as shown in figure. The
BURST TERMINATE latency is equal to the read (CAS) latency, i.e., the BURST TERMINATE command should be
issued X cycles after the READ command where X equals the desired data-out element pairs.
CL=2
= Don't Care
BA,Col n
READ
NOP
CK
Command
Address
DQS
DQ
DQS
DQ
1) DO n = Data Out from column n
2) BA,Col n = Bank A, Column n
3) Cases shown are bursts of 4,8 or 16 terminated after 2 data elements.
4) Shown with nominal tAC, tDQSCK and tDQSQ
CL=3
BST
NOP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| W9605BB | PUSHBUTTON SWITCH, SPST, MOMENTARY, 10A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| W9606BB | PUSHBUTTON SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 10A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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