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参数资料
| 型号： | W948D2FBJX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 51/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA |
| 标准包装： | 240 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 256M（8Mx32） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 90-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 90-VFBGA（8x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W948D6FB / W948D2FB
256Mb Mobile LPDDR
8.5 AC Timings
[Recommended Operating Conditions: Notes 1-9]
-5
-6
- 75
PARAMETER
SYMBOL
UNIT
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
DQ output access time
from CK/ CK
CL=3
CL=2
tAC
2.0
2.0
5.0
6.5
2.0
2.0
5.0
6.5
2.0
2.0
6.0
6.5
ns
DQS output access time from CK/
CK
Clock high-level width
Clock low-level width
Clock half period
CL=3
CL=2
tDQSCK
tCH
tCL
tHP
2.0
2.0
0.45
0.45
Min
(tCL, tCH)
5.0
6.5
0.55
0.55
2.0
2.0
0.45
0.45
Min
(tCL, tCH)
5.0
6.5
0.55
0.55
2.0
2.0
0.45
0.45
Min
(tCL, tCH)
6.0
6.5
0.55
0.55
ns
tCK
tCK
ns
10,11
CL=3
5
6
7.5
ns
12
Clock cycle time
tCK
CL=2
12
12
12
ns
12
DQ and DM input setup
time
fast
slow
fast
tDS
0.48
0.58
0.48
0.6
0.7
0.6
0.8
0.9
0.8
ns
ns
ns
13,14,15
13,14,16
13,14,15
DQ and DM input hold time
tDH
slow
0.58
0.7
0.9
ns
13,14,16
DQ and DM input pulse width
tDIPW
1.6
1.6
1.8
ns
17
Address and control input
setup time
Address and control input
hold time
fast
slow
fast
slow
tIS
tIH
0.9
1.1
0.9
1.1
1.1
1.3
1.1
1.3
1.3
1.5
1.3
1.5
ns
ns
ns
ns
15,18
16,18
15,18
16,18
Address and control input pulse width
DQ & DQS low-impedance time from
CK/ CK
tIPW
tLZ
2.3
1.0
2.6
1.0
2.6
1.0
ns
ns
17
19
DQ & DQS high-impedance
time from CK/ CK
CL=3
CL=2
tHZ
5.0
6.5
5.0
6.5
6.0
6.5
ns
19
DQS-DQ skew
DQ/DQS output hold time from DQS
Data hold skew factor
tDQSQ
tQH
tQHS
tHP-tQHS
0.4
0.5
tHP-tQHS
0.5
0.65
tHP-tQHS
0.6
0.75
ns
ns
ns
20
11
11
Write command to 1st DQS latching
transition
DQS input high-level width
DQS input low-level width
tDQSS
tDQSH
tDQSL
0.75
0.4
0.4
1.25
0.6
0.6
0.75
0.4
0.4
1.25
0.6
0.6
0.75
0.4
0.4
1.25
0.6
0.6
tCK
tCK
tCK
DQS falling edge to CK setup time
DQS falling edge hold time from CK
MODE REGISTER SET command
period
tDSS
tDSH
tMRD
0.2
0.2
2
0.2
0.2
2
0.2
0.2
2
tCK
tCK
tCK
Publication Release Date : Oct, 15, 2012
- 51 -
Revision : A01-004
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W949D2CBJX5E | IC LPDDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA |
| W971GG6JB25I | IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA |
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| W9725G6IB-25 | IC DDR2-800 SDRAM 256MB 84-WBGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W948D2FBJX5ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M MDDR, X32, 200MHZ |
| W948D2FBJX5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 8Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
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| W948D2FBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 8Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:LOW POWER DRAM 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W948D2FBJX6ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M MDDR, X32, 166MHZ, 65NM |
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