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参数资料
| 型号： | W9825G6JH-6I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 14/43页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 256MBIT 54TSOPII |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 54-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
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W9825G6JH
9. ELECTRICAL CHARACTERISTICS
9.1
Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
NOTES
Voltage on any pin relative to V SS
V IN, V OUT -0.5 ~ V DD + 0.5 ( ? 4.6V max.)
V
1
Voltage on V DD /V DDQ supply relative to V SS
Operating Temperature for -5/-6/-6L/-75/75L
Operating Temperature for -5I/-6I/-6A
Operating Temperature for -6K
Operating Temperature for -6K
Storage Temperature
Soldering Temperature (10s)
Power Dissipation
Short Circuit Output Current
V DD , V DDQ
T A
T A
T A
T CASE
T STG
T SOLDER
P D
I OUT
-0.5 ~ 4.6
0 ~ 70
-40 ~ 85
-40 ~ 105
-40 ~ 105
-55 ~ 150
260
1
50
V
°C
°C
°C
°C
°C
°C
W
mA
1
1, 2
1, 2
1, 2
1, 3, 4, 5, 6
1
1
1
1
Notes:
1. Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliability of
the device
2. Operating ambient temperature is the surrounding temperature of the SDRAM.
3. Operating case temperature is the case surface temperature on the center/top side of the SDRAM
4. Supporting -4 0°C ≤ T A / T CASE ≤ 85°C with full AC and DC specifications .
5. Supporting -4 0°C ≤ T A / T CASE ≤ 85°C and being able to extend to 105°C with extend Auto Refresh commands in frequency
to a 16 mS period ( t REF = 1.95 μS).
6. During operation, the DRAM operation temperature must be maintained between -40 to 105°C for automotive parts under all
specification parameters.
9.2
Recommended DC Operating Conditions
PARAMETER
Power Supply Voltage
Power Supply Voltage (for I/O Buffer)
Input High Voltage
Input Low Voltage
SYM.
V DD
V DDQ
V IH
V IL
MIN.
3.0
3.0
2.0
-0.3
TYP.
3.3
3.3
-
-
MAX.
3.6
3.6
V DD + 0.3
0.8
UNIT
V
V
V
V
Not e : V IH (max) = V DD /V DDQ +1.5V for pulse width ≤ 5 nS
V IL (min) = V SS /V SSQ -1.5V for pulse width ≤ 5 nS
9.3
Capacitance
(V DD = 3.3V ± 0.3V, f = 1 MHz, T A = 25°C)
PARAMETER
Input Capacitance
(A0 to A12, BS0, BS1, CS , RAS , CAS , WE , LDQM, UDQM, CKE)
Input Capacitance (CLK)
Input/Output Capacitance (DQ0 ? DQ15)
SYM.
C I
C CLK
C IO
MIN.
-
-
-
MAX.
3.8
3.5
6.5
UNIT
pf
pf
pf
Note : These parameters are periodically sampled and not 100% tested.
Publication Release Date: Mar. 13, 2014
- 14 -
Revision: A09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9864G6JH-6I | IC SDRAM 64MBIT 54TSOPII |
| WM-5614 | CABINET WALL MOUNT 37.25X17.9" |
| WRR-2244 | RACK WALL MOUNT RELAY 42" X 19" |
| WRR-2264 | RACK WALL MOUNT 75.25" X 19" |
| X28C512JIZ-12 | IC EEPROM 512KBIT 120NS 32PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W986408CH | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2M x 8BIT x 4 BANKS SDRAM |
| W986408CH-75 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:x8 SDRAM |
| W986408CH-8H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:x8 SDRAM |
| W986416CH | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M x 16 BIT x 4 BANKS SDRAM |
| W986416CH-6 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
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